半导体器件制造过程中的IC清洗技术

半导体器件制造过程中的IC清洗技术

目录

1 .引言 1

2 .半导体制造的基本工艺流程 2

3 .污染物杂质的分类 6

3.1.颗粒 6

3.2.有机物 6

3.3.金属污染物 7

3. 4.原生氧化物及化学氧化物7

4.清洗方法分类 7

4.1. 湿法清洗 7

4. 2.RCA清洗法 7
5. 3.稀释化学法9
6. 4.IMEC清洗法 9
7. 5.单晶片清洗11
8. 6.干法清洗11
9. 总结12

1 .引言

在半导体器件的制造过程中，由于需要去除被称为硅晶片的硅衬底上纳米级的异物（颗粒），1/3的制造过程被称为清洗过程。在半导体器件中，通常进行RCA清洁，其中半导体器件以一批25个环（盒）为单位，依次浸入氨水，过氧化氢溶液，盐酸等加热的化学品中。然而，最近，为了降低环境负荷的目的和半导体器件的多品种化，需要片叶式的清洗方法，喷射纯水的清洗工序正在增加。在单片式清洗中，超声波振动体型清洗装置是一种有效的清洗方法，目前已被许多工艺所使用。通过超声波振动器的清洁是通过从超声波振动器向纯水施加超声波振动来加速水分子的清洁方法。

本方法的目的是利用频率在5MHz-10MHz的超声波振动体技术，达到下一代半导体器件清洗技术的目标。我们使用样品基板，在硅晶片上涂覆直径为1μm的聚苯乙烯胶乳（PS1）颗粒，对超声波振动型清洗装置的清洗能力进行了验证。

半导体IC制程主要以20世纪50年代以后发明的四项基础工艺(离子注入、扩散、外延生长及光刻)为基础逐渐发展起来，由于集成电路内各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到尘粒、金属的污染，很容易造成晶片内电路功能的损坏，形成短路或断路等，导致集成电路的失效以及影响几何特征的形成。因此在制作过程中除了要排除外界的污染源外，集成电路制造步骤如高温扩散、离子植入前等均需要进行湿法清洗或干法清洗工作。干、湿法清洗工作是在不破坏晶圆表面特性及电特性的前提下，有效地使用化学溶液或气体清除残留在晶圆上之微尘、金属离子及有机物之杂质。

2 .半导体制造的基本工艺流程

半导体制造是制造集成电路(IC)和其他电子设备的关键技术。以下是半导体制造的基本工艺流程：

I、硅晶圆制备：在制造半导体器件之前，需要制备硅晶圆。硅晶圆是通过将纯度较高的硅材料熔化，并通过晶体生长技术将其形成的单晶圆片。

硅晶圆是半导体芯片制造的基础材料之一。硅晶圆通常由单晶硅制成，其表面经过多重处理和清洗后变得非常平整和干净，可以用于制造微小的半导体器件。

2、晶圆清洗：晶圆表面必须清洗干净，以去除任何杂质和有害物质，例如油脂和灰尘等。

晶圆清洗是指在半导体制造过程中对晶圆表面进行清洗，以去除表面的污染物和杂质，确保晶圆表面的纯净度和平整度，从而提高芯片的制造质量和可靠性。

晶圆清洗的过程通常分为以下几步：

去除表面有机物：晶圆表面往往会有一层有机物质，需要用去离子水或者丙酮等溶剂进行去除。

酸洗：酸洗是将晶圆浸泡在一定浓度的酸液中，以去除表面的金属污染物和氧化物。常用的酸液包括硝酸、盐酸和氢氟酸等。

碱洗：碱洗是将晶圆浸泡在一定浓度的碱液中，以去除表面的有机物和残留的酸性物质。常用的碱液包括氢氧化钠、氢氧化筱等。

纯水冲洗：经过酸洗和碱洗后，晶圆表面仍然会残留一些化学物质，需要用纯水进行冲洗，以将化学物质冲走，确保晶圆表面的纯净度。

3、干燥：将晶圆放置在干燥器中进行干燥，以去除表面残留的水分和杂质，使晶圆表面保持干燥和清洁。

需要注意的是，晶圆清洗的过程需要严格控制工艺参数，包括浓度、温度、时间等，以避免对晶圆造成损伤和影响芯片的制造质量。同时，清洗过程中需要使用高纯度的溶剂和试剂，以确保清洗的效果和晶圆的纯净度。

4、氧化：在晶圆表面形成一层氧化层，可以通过干氧化或湿氧化来实现。这是为了保护晶圆表面并准备形成电路。

氧化是指将晶圆表面暴露在氧气或氧化剂环境中，以形成一层氧化物(通常是二氧化硅SiO2)的过程。这个过程通常是在高温下进行的，如在化学气相沉积(CVD)或热氧化(therma1OXidatiOn)过程中。形成的氧化层可以提高晶圆的稳定性和电学特性，并且在制造晶体管等器件时也是必要的。

5、光刻：使用光刻技术，将设计好的图案投影到硅片上，从而形成电路图案。

光刻是一种半导体制造过程，它使用光刻技术将设计好的图案投影到硅片上。该过程通常用于创建微电子设备和集成电路(IC)中的微小结构和元件。

光刻的过程包括以下步骤：

前处理：在硅片表面涂覆光刻胶，这种胶是一种光敏性材料，它可以在光照下发生化学反应。

对准：将掩模(包含设计好的图案)放置在光刻机的光刻板上，然后使用对准器将其准确地对准到硅片表面上的光刻胶层。

暴光：将光源照射到掩模上，通过光学透镜将掩模上的图案缩小并投影到硅片表面上的光刻胶层上。在暴光期间，光刻胶会在光照下变化，使得暴光后的胶层区域的化学性质与未曝光的区域不同。

显影：使用显影液将已暴光的胶层区域溶解掉，露出下方的硅片表面。如果需要进行多层光刻，显影后的硅片表面上将会暴露出先前暴露的图案，用于下一层光刻的对准和暴光。

后处理：将硅片经过清洗、干燥等后处理步骤，使其准备好进行下一步制造。

光刻技术在半导体制造过程中非常重要，因为它可以实现高精度的微细图

案制造。通过精确控制光刻胶的化学反应和光学系统，可以将微小结构和元件制造到亚微米和纳米尺度。

6、刻蚀：在晶圆表面刻蚀，去除不需要的部分，从而形成电路的结构。

刻蚀(EtChing)是一种通过化学反应或物理作用，将晶圆表面的材料去除的加工技术。在集成电路制造过程中，刻蚀被广泛应用于图案形成和制造晶体管等元件的工艺步骤中。

刻蚀通常分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种类型。干法刻蚀是利用高能离子轰击物质表面，通过物理过程将物质去除。湿法刻蚀是利用化学反应将物质表面的原子或分子去除，常用的刻蚀液包括氢氟酸、氯化铁、氯化铭等。刻蚀技术在微纳加工、集成电路制造、光刻制造、MEMS制造等领域都有着广泛的应用。

7、沉积：在晶圆表面沉积金属或其他材料，形成电路的结构。

在半导体制造过程中，沉积是一种常见的工艺，它是指在晶圆表面沉积金属或其他材料的过程。这个过程可以通过化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)和电化学沉积(ECD)等不同的技术来实现。

物理气相沉积是另一种常用的沉积技术，它是利用高能粒子或电子束对目标材料进行蒸发，并在晶圆表面沉积形成薄膜。这个过程不需要化学反应，通常需要在真空环境下进行，并需要对材料的蒸发速率和沉积速率进行精确控制。

电化学沉积是一种利用电化学反应在晶圆表面沉积材料的技术，它需要在电解质溶液中进行，通过在晶圆表面施加电压或电流，使金属离子在电极上还原成为所需的材料。这个过程通常需要对反应条件进行精确控制，以确保所沉积的材料的均匀性和质量。

8、清洗：清洗是指使用清洁剂、水或其他化学物质将表面上的污垢、污染物或其他物质彻底清除的过程。清洗可以用于许多不同的表面，例如：家具、地板、墙壁、车辆、器具、衣物等等。清洗表面的目的是去除任何残留物，保持表面的卫生和外观。

清洗的过程可以使用多种方法，例如：擦洗、刷洗、喷洒、蒸汽清洗等等。清洗表面之前，需要先确定清洗剂和清洗方法是否适合表面材质。对于某些表面，如特殊涂层或装饰品，可能需要特殊的清洗剂和方法。同时，在清洗时需要注意保护自己的安全和健康，例如佩戴手套、口罩等防护用具。

总的来说，清洗表面可以使表面更加干净、卫生和美观，并且可以防止任何残留物对表面造成损害或危害。

9、烘烤：在晶圆上进行烘烤，使电路结构更加稳定。

烘烤通常是指在半导体制造过程中对晶圆进行的一种加热处理。在晶圆制造过程中，各种材料和层会被逐层沉积在晶圆表面，而这些材料需要被加热以使它们变得更加稳定和结实。这个过程也被称为退火。

晶圆烘烤通常是在高温下进行的，以便在短时间内加快化学反应速度，以达到所需的效果。这些烘烤通常在真空或气氛下进行，以防止氧化或污染。

晶圆烘烤是半导体制造中一个非常重要的步骤，对于半导体器件的性能和可靠性都有很大的影响。

10、封装：将芯片封装到塑料或金属外壳中，以便安装和连接到其他电子设备。

封装是指将电子元器件（例如芯片）封装在一个塑料或金属外壳中，以保护元器件免受机械损坏、环境影响、静电放电等因素的影响，并便于元器件的使用和安装。在电子工程中，封装是一个非常重要的过程，因为它可以提高元器件的可靠性和稳定性。

封装通常包括以下步骤：

1,设计封装：根据芯片的规格和使用环境，设计适合的封装类型，如塑料封装、金属封装等。

2•制造封装：使用专门的封装设备将芯片封装在外壳中。这包括将芯片放置在合适的位置、焊接芯片引脚、封装盖板等步骤。

3.测试封装：对封装后的芯片进行测试，确保其符合规格要求。

封装的类型和形式多种多样，根据不同的需求和要求选择不同的封装方式。一些常见的封装类型包括：DIP（双列直插封装）、SoIC（小轮廓集成电路封装）、BGA（球栅阵列封装）等。

11、测试：进行电路测试和质量检查，以确保电路的正确性和可靠性。

半导体测试是对半导体芯片进行测试和验证的过程，以确保芯片符合规格和要求。半导体测试通常是在芯片制造完成后进行的最后一道工序。这个过程可以通过检测芯片的功能、性能、可靠性和耐久性来确定芯片是否符合规格。测试也可以帮助找出芯片的缺陷和问题，并修复这些问题。

半导体测试可以分为两种类型：功能测试和可靠性测试。功能测试用于检测芯片是否符合设计规格，包括芯片的逻辑功能、速度和功率等方面。

可靠性测试则用于检测芯片在不同的工作条件下的稳定性和可靠性，例如高温、高湿度、高压力和电磁干扰等。

半导体测试的方法包括电学测试、光学测试、射频测试和故障注入测试等。其中，电学测试是最常用的测试方法，它通过测量电阻、电容、电感和电压等参数来检测芯片的电气特性。光学测试则用于检测芯片的光学特性，例如波长、光强度和极化等。射频测试用于测试芯片的高频特性，例如工作频率和带宽等。故障注入测试则是通过向芯片中注入故障来检测芯片的容错能力和可靠性。

总之，半导体测试是确保芯片质量和性能的重要环节，它能够帮助芯片制造商在芯片出厂前发现和解决问题，从而保证芯片的可靠性和性能符合规格。

以上是半导体制造的基本流程。此外，还有其他的工艺步骤，例如化学机械抛光(CMP)、离子注入、退火和金属化等，这些都是根据具体制造需要来进行的。

3.污染物杂质的分类

IC制程中需要一些有机物和无机物参与完成，另外，制作过程总是在人的参与下在净化室中进行，这样就不可避免的产生各种环境对硅片污染的情况发生。根据污染物发生的情况，大致可将污染物分为颗粒、有机物、金属污染物及氧化物。

3.1.颗粒

颗粒主要是一些聚合物、光致抗蚀剂和蚀刻杂质等。通常颗粒粘附在硅表面，影响下一工序几何特征的形成及电特性。根据颗粒与表面的粘附情况分析,其粘附力虽然表现出多样化，但主要是范德瓦尔斯吸引力，所以对颗粒的去除方法主要以物理或化学的方法对颗粒进行底切，逐渐减小颗粒与硅表面的接触面积，最终将其去除。

3.2.有机物

有机物杂质在IC制程中以多种形式存在，如人的皮肤油脂、净化室空气、机械油、硅树脂真空脂、光致抗蚀剂、清洗溶剂等。每种污染物对IC制程都有不同程度的影响，通常在晶片表面形成有机物薄膜阻止清洗液到达晶片表面。

因此有机物的去除常常在清洗工序的第一步进行。

3. 3.金属污染物

IC电路制造过程中采用金属互连材料将各个独立的器件连接起来，首先采用光刻、蚀刻的方法在绝缘层上制作接触窗口，再利用蒸发、溅射或化学汽相沉积(CVD)形成金属互连膜，如A1-Si,CU等，通过蚀刻产生互连线，然后对沉积介质层进行化学机械抛光(CMP)。这个过程对IC制程也是一个潜在的污染过程，在形成金属互连的同时，也产生各种金属污染。必须采取相应的措施去除金属污染物。

4. 4.原生氧化物及化学氧化物

硅原子非常容易在含氧气及水的环境下氧化形成氧化层，称为原生氧化层。硅晶圆经过SC-I和SC-2溶液清洗后，由于双氧水的强氧化力，在晶圆表面上会生成一层化学氧化层。为了确保闸极氧化层的品质，此表面氧化层必须在晶圆清洗过后加以去除。另外，在IC制程中采用化学汽相沉积法(CVD)沉积的氮化硅、二氧化硅等氧化物也要在相应的清洗过程中有选择的去除。

4.清洗方法分类

4.1. 湿法清洗

湿法清洗采用液体化学溶剂和DI水氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。通常采用的湿法清洗有RCA清洗法、稀释化学法、IMEC清洗法、单晶片清洗等。

4. 2.RCA清洗法

最初，人们使用的清洗方法没有可依据的标准和系统化。1965年，RCA(美国无线电公司)研发了用于硅晶圆清洗的RCA清洗法，并将其应用于RCA元件制作上。该清洗法成为以后多种前后道清洗工艺流程的基础，以后大多数工厂中使用的清洗工艺基本是基于最初的RCA清洗法。

典型的RCA清洗见表1。

*1RCAia用清洗方法

比木蜕0和	frnn∣<∙AM 0则发端利)	生 Mt	MQn<t将化学XftW
AtM	SPM	SfM	DHF
	APM	HrM D11F	BHF

RCA清洗法依靠溶剂、酸、表面活性剂和水，在不破坏晶圆表面特征的情况下通过喷射、净化、氧化、蚀刻和溶解晶片表面污染物、有机物及金属离子污染。在每次使用化学品后都要在超纯水(UPW)中彻底清洗。以下是常用清洗液及作用。

(I)Ammoniumhydroxide/hydrogenper_x0016_ox_x0016Jde/DIwatermixture(APM;NH4OH∕H2O2∕H2Oat65~80°C).APM通常称为SCI清洗液，其配方为:NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5~1:2:7,以氧化和微蚀刻来底切和去除表面颗粒；也可去除轻微有机污染物及部分金属化污染物。但硅氧化和蚀刻的同时会发生表面粗糙。

(2)Hydroch1oricacid/hydrogenperoxide/DIwatermixture(HPM;HCI∕H2O2∕H2Oat65~80°C),HPM通常称为SC-2清洗液，其配方为:HCI:H2O2:H2O=1:1:6~1:2:8,可溶解碱金属离子和铝、铁及镁之氢氧化物，另外盐酸中氯离子与残留金属离子发生络合反应形成易溶于水溶液的络合物，可从硅的底层去除金属污染物。

(3)Su1phuricacid(硫酸)/hydrogenPerOXide(过氧化氢)∕DIWater(去离子水)混合物(SPM；H2SO4∕H2O2∕H2Oat100~130°C)_oSPM通常称为SC3清洗液，硫酸与水的体积比是1:3,是典型用于去除有机污染物的清洗液。硫酸可以使有机物脱水而碳化，而双氧水可将碳化产物氧化成一氧化碳或二氧化碳气体。

(4)Hydrof1uoricacid(氢氟酸)ordi1utedhydrof1uoricacid(稀释氢氟酸)(HFOrDHFat20~25°C)蚀亥IJ。其配方为:HF:H2O=1:2:10,主要用于从特殊区域去除氧化物、蚀刻硅二氧化物及硅氧化物，减少表面金属。稀释氢氟酸水溶液被用以去除原生氧化层及SC1和SC2溶液清洗后双氧水在晶圆表面上氧化生成的一层化学氧化层，在去除氧化层的同时，还在硅晶圆表面形成硅氢键，而呈现疏水性表面。

(5)UItraPUreWater(UPw)通常叫作D1水，UPW采用臭氧化的水稀释化学品

以及化学清洗后晶片的冲洗液O

RCA清洗附加兆声能量后，可减少化学品及DI水的消耗量，缩短晶片在清洗液中的浸蚀时间，减轻湿法清洗的各向同性对积体电路特征的影响，增加清洗液使用寿命。

5. 3.稀释化学法

在RCA清洗的基础上，对SCI、SC2混合物采用稀释化学法可以大量节约化学品及D1水的消耗量。并且SC2混合物中的出。2可以完全去掉。稀释APMSC2混合物（1:1:50）可以有效地从晶片表面去除颗粒和碳氢化合物。强烈稀释IIPM混合物（1:1:60）和稀释HCK1:100）在清除金属时可以象标准SC2液体一样有效。采用稀释HC1溶液的另外一个优点是，在低HCI浓度下颗粒不会沉淀。因为PH值在2~2.5范围内硅与硅氧化物是等电位的，pH值高于该点，硅片表面带有网状负电荷；低于该点，硅片表面带有网状正电荷。这样在PH值高于2~2.5时，溶液中的颗粒与硅表面带有相同的电荷，颗粒与硅表面之间形成静电屏蔽，硅片在溶液中浸蚀期间这种屏蔽可以阻止颗粒从溶液中沉积到硅表面上。但在PH值低于2时，硅片表面带正电荷，而颗粒带负电荷，这样一来就不会产生屏蔽效果，导致硅片在溶液中浸蚀时颗粒沉积到硅表面。有效控制HC1浓度可以阻止溶液中颗粒沉积到硅表面。

采用稀释RCA清洗法可使全部化学品消耗量减少于86%。稀释SCI,SC2溶液及HF补充兆声搅动后，可降低槽中溶液使用温度，并优化了各种清洗步骤的时间，这样导致槽中溶液寿命加长，使化学品消耗量减少80〜90%。实验证明采用热的UPW代替凉的UPW可使UPW消耗量减少75〜80%。此外，多种稀释化学液由于低流速/或清洗时间的要求可大大节约冲洗用水。

4.4.IMEC清洗法

在湿法清洗中，为了减少化学品和D1水的消耗量，常采用IMEC清洗法，IMEC清洗法过程如表2。

第一步，去除有机污染物，生成一薄层化学氧化物以便有效去除颗粒。通常采用硫酸混合物，但出于环保方面的考虑而采用臭氧化的DI水，既减少了化学品和D1水的消耗量又避免了硫酸浴后较困难的冲洗步骤。用臭氧化的DI水完全彻底去除HMDS（六甲基二硅胺烷）比较困难，因为在室温下，臭氧可在溶液中高浓度溶解，但反应速度较慢，导致HDMS不能完全去除；较高温度下，反应速度加快，但臭氧的溶解浓度较低，同样影响HMDS的清除效果。因此为了较好的去除有机物，必须使温度、浓度参数达到最优化。

表2自动湿法槽中典型的IMEC清洗法

售一步	H,SO2	90Γ		Smin
	一.步快速冲洗（QDZ≡U冷）	60r.20r		βm>n
改H的界/	O/DI水		优化条件
第二步	dHF(O.S%) ∕<JH<X(05M)	22V		2tnin
第三步	♦石冲洗O/HC1（附加先/能・）	2or		IOtnin
	TM	20X?		8min
整体清洗时网				32min

第二步，去除氧化层，同时去除颗粒和金属氧化物。Cu,Ag等金属离子存在于HF溶液时会沉积到Si表面。其沉积过程是一个电化学过程，在光照条件下，铜的表面沉积速度加快。通常采用HF/HC1混合物在去除氧化层和颗粒的同时抑制金属离子的沉积。添加氯化物可抑制光照的影响，但少量的氯化物离子由于在Cu2+∕Cu+反应中的催化作用增加了CU的沉积，而大量的氯化物离子添加后形成可溶性的高亚铜氯化物合成体抑制铜离子沉积。优化的HF/HC1混合物可有效预防溶液中金属外镀，增长溶液使用时间。

第三步，在硅表面产生亲水性，以保证干燥时不产生干燥斑点或水印。通常采用稀释He1/03混合物，在低PH值下使硅表面产生亲水性，同时避免再发生金属污染，并且在最后冲洗过程中增加HN03的浓度可减少Ca表面污染。

IMEC清洗法与RCA清洗法的比较见表3。

*3IMEC清洗法与RCA清洗法

印染物	“片上金典污染物/×IO1*a(om‰>’cm1
	Ca	Fe	Cu	Zn
污史韧・的侬厦	154.4	5.6	4.4	1.S
改良的RCA清帙后	<0.26	0.2	0.4	0.2
IMEC清江田	<0.26	0.1	<0.07	0.08

从表中可以看出IMEC清洗法可达到很低的金属污染，并以其低化学品消耗及无印迹的优势获得较好的成本效率。

4.5.单晶片清洗

大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，如下图所示，其清洗过程是在室温下重复利用DI-O3/DHF清洗液,臭氧化的DI水(DI-O3)产生氧化硅，稀释的HF蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果,不会发生交叉污染。最后冲洗不是采用D【水就是采用臭氧化DI水。为了避免水渍，采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇(IPA)进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗过程中通过采用DI水及HF的再循环利用，降低化学品的消耗量，提高晶片成本效益。

单片清洗示意图

4.6.干法清洗

干法清洗采用气相化学法去除晶片表面污染物。气相化学法主要有热氧化法和等离子清洗法等，清洗过程就是将热化学气体或等离子态反应气体导入反应室，反应气体与晶片表面发生化学反应生成易挥发性反应产物被真空抽去。各种污染物的去除措施分别列于表4₀在CI包容环境中退火是一种典型的热氧化过程，在氧化炉中进行，氮(Ar)溅射通常在溅射淀积前现场进行。

«4通用干法清洗方法

		⅛4	原生乳化的，化学液化稗
	•0,Λ∙k	•ci5化学W1aj大	•Ar眩锻
ArN,		•NOHCI/N,退火	-H1过火
•«<		∙*Hti1xC1j
•CO,tS		紫外空/SiCI,	.≡Λ⅜ΛrNF√H,
	•MMWKr	*外陵3C1	♦AHF∕H,O
	O1		•ahf∕fmx≡
			•UV∕F∕Hj

等离子清洗采用激光、微波、热电离等措施将无机气体激发到等离子态活性粒子，活性粒子与表面分子反应生成产物分子，产物分子进一步解析形成气相残余物脱离表面。

干法清洗的优点在于清洗后无废液，可有选择性的进行局部处理。另外，干法清洗蚀刻的各向异性有利于细线条和几何特征的形成。但气相化学法无法有选择性的只与表面金属污染物反应，都不可避免的与硅表面发生反应。各种挥发性金属混合物蒸发压力不同，在低温下各种金属挥发性不同，所以在一定的温度、时间条件下，不能将所有金属污染物完全去除，因此干法清洗不能完全取代湿法清洗。实验表明，气相化学法可按要求的标准减少的金属化污染物有铁、铜、铝、锌、锲等，另外，钙在低温下采用基于C1离子的化学法也可有效挥发。工艺过程中通常采用干、湿法相结合的清洗方式。

5.总结

半导体IC清洗是IC制程中重复次数最多的工序，清洗效果的好坏较大程度的影响芯片制程及积体电路特性等质量问题。清洗液使用的各种化学品处理不当就会严重污染环境，清洗次数繁多消耗大量的化学品和DI水。稀释化学法、IMEC清洗法、干法清洗及干湿结合的清洗方法等，可以减少或完全取代部分化学品的消耗，减少DI水消耗量。面对刻线更细、集成度更高的IC制程，人们还在研究更有效的清洗方案，如兆声能量在清洗液中的有效匹配对亚微细颗粒的去除能力等。在更高精度的IC制程中半导体IC清洗将会面对更大的挑战。

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